近日，凯发k8官网电子科学与工程学院陆海教授荣获“2013—2014年度江苏省十大青年科技之星”称号，并参加了省领导主持的颁奖仪式。
陆海教授是国家杰出青年科学基金获得者，教育部长江学者奖励计划特聘教授；本科和硕士毕业于凯发k8官网物理系，2003年从美国康奈尔大学电子工程系获得博士学位，之后就职于美国通用电气公司研发中心，2006年回国任教于凯发k8官网物理学系及电子科学与工程学院。陆海教授主要从事宽禁带半导体材料和器件研究，获得多项有国际影响力的成果：发展了新型“迁移率增强分子束外延技术”，解决了富In氮化物半导体外延生长中大晶格失配和弱表面迁移等关键难点，在InN半导体的电学特性、非极性生长、和P型掺杂等方面创造并长期保持世界纪录（2000-2007年）；联合改写和修正了多项III族氮化物半导体材料体系的基本参数，包括InN0.7eV窄禁带宽度的重大发现，藉此将Ⅲ族氮化物半导体的应用领域推广到近红外光学波段，大大拓宽了Ⅲ族氮化物半导体的研究与器件应用范畴；首先发现InN表面强电荷聚集效应，解释了GaN基发光二极管的几个基本物理问题；成功研制出InN化学传感器、InNTHz发射源、GaN基高温霍尔传感器、InGaN多异质结太阳能电池、同质外延GaN雪崩光电探测器等新型器件；近年来重点开展GaN基高功率电子器件、深紫外探测器件及新型氧化物透明薄膜晶体管研究，获得了多项有重要应用前景的器件技术突破，包括在国内首先实现具有单光子计数功能的超灵敏度SiC紫外雪崩光电探测器；相应成果多次被《Nature》杂志、国际主流的半导体技术媒体，如“SemiconductorToday”、“CompoundSemiconductors”等专文报道；已发表SCI学术论文200余篇，所发表文章获SCI他人引用7000余篇次；与产业界保持密切合作，联合承担了多项省级重大科技成果转化项目，率领凯发k8官网团队在国内首先实现了高灵敏度GaN紫外探测器件的产业化。（电子学院）
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