忆阻器可以通过改变其电阻来记忆流经它的电荷数量，从而记忆过往之状态。通过发展忆阻器有望实现具有突触功能的电子器件，进而获得仿生类大脑功能的硬件。现代工程与应用科学学院许含霓博士在夏奕东副教授和刘治国教授指导下构建了一类基于银锗硒 (AGS) 材料的忆阻器。该课题组在验证突触峰时依赖可塑性的研究中发现，突触权重的长时程增强LTP和长时程抑制LTD特性能够用以发展一种忆阻运算方法。以5/4＝1.25等为例实现了小数运算，提出了忆阻“算盘”的概念，为发展忆阻智能运算提供了一条新途径。
为了理解此类忆阻器的工作原理，该课题组与东凯发学孙立涛教授课题组合作，基于原位TEM观测研究了LTP与LTD过程中AGS忆阻材料微结构的动态演化。发展了一种针对固体电解质忆阻材料原位TEM观测的样品制备技术。发现了不同于经典固体电解质电化学理论的导电通道形成规律：导电通道形成于反应电极，而不是传统理论认为的惰性电极处。证实了构成导电网络的是正交相Ag2Se，而不是之前普遍认为的由电化学沉积所形成的Ag，使人们对忆阻原理有了新的认识和理解。该研究发表于Scientific Reports 3, 1230 (2013)，得到973项目、国家自然科学基金面上项目、江苏高校优势学科建设工程资助项目以及中央高校基本科研业务费专项资金的资助。（现代工程与应用科学学院 夏奕东）
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